芯片制造:半导体工艺与设备
集成电路制造工艺 集成电路生产线的洁净系统 集成电路制造技术 集成电路生产线的发展趋势 集成电路生产线发展的历程与设计
集成电路制造技术
芯片制造 工艺划分 工艺技术路线 集成电路生产线发展的历程与设计
国外集成电路生产线发展情况 国内集成电路生产线发展情况
集成电路生产线的工艺设计 集成电路生产线的洁净系统
洁净室系统 空调系统 循环冷却水系统 真空系统 排气系统
晶圆制备与加工 硅材料 晶圆制备 晶圆制备与加工 晶圆加工与设备
硅材料 为什么使用硅材料 晶体结构与晶向
晶圆制备 直拉法与直拉单晶炉 区熔法与区熔单晶炉
晶圆加工与设备 滚磨 切断 切片 硅片退火 倒角 研磨 抛光 清洗与包装
加热工艺与设备 加热单项工艺
加热工艺的硬件设备
加热单项工艺 氧化工艺 扩散工艺 退火工艺
加热工艺的硬件设备 扩散设备 高压氧化炉 快速退火处理设备
光刻工艺与设备
光刻工艺
光掩模与光刻胶材料
光刻设备
光掩模与光刻胶材料
光掩模的发展
光掩模基板材料
匀胶铬版光掩模
移相光掩模
极紫外光掩模
光刻设备
光刻技术的发展历程
接触/接近式光刻机
步进重复光刻机
步进扫描光刻机
浸没式光刻机5.4.6极紫外光刻机
电子束光刻系统
纳米电子束直写系统
晶圆片匀胶显影设备
光刻胶
光刻胶配套试剂
光刻设备
光刻技术的发展历程
接触/接近式光刻机
步进重复光刻机
步进扫描光刻机
浸没式光刻机
极紫外光刻机
电子束光刻系统5.4.8纳米电子柬直写系统
晶圆片匀胶显影设备
刻蚀工艺及设备
湿法刻蚀与清洗设备
干法刻蚀设备
刻蚀工艺
湿法刻蚀和清洗
干法刻蚀和清洗
湿法刻蚀与清洗设备
槽式晶圆片清洗机
槽式晶圆片刻蚀机
单晶圆片湿法设备
单晶圆片清洗设备
单晶圆片刻蚀设备
干法刻蚀设备
等离子体刻蚀设备的分类
等离子体刻蚀设备
反应离子刻蚀设备
磁场增强反应离子刻蚀设备
电容耦合等离子体刻蚀设备
电感耦合等离子体刻蚀设备
离子注入工艺及设备
离子注入设备
损伤修复
离子注入工艺
基本原理
离子注入主要参数
离子注入设备
基本结构
设备技术指标
薄膜生长工艺及设备
薄膜生长工艺
物理气相沉积及溅射工艺
化学气相沉积工艺
原子层沉积工艺
外延工艺
薄膜生长设备
真空蒸镀设备 直流物理气相沉积设备 射频物理气相沉积设备 磁控溅射设备
离子化物理气相沉积设备 常压化学气相沉积设备 低压化学气相沉积设备 等离子体增强化学气相沉积设备 原子层沉积设备
封装工艺及设备
芯片级封装
元器件级封装
封装工艺及设备
板卡级封装
芯片级封装
圆片减薄机
砂轮划片机
激光划片机
元器件级封装
粘片机
引线键合机
板卡级封装
塑封机
电镀及浸焊生产线
切筋成型机
激光打印设备
IC制程技术
1.初始清洗
初始清洗就是将品圆放入清洗槽中,利用化学或物理的方法将在品圆表面的尘粒或杂质去除,
防止这些杂质尘粒，对后续的制程造成影响，使得元件无法正常工作。2.前置氧化利用热氧化法生长一层二氧化硅薄膜，目的是为了降低后续生长氮化硅薄膜制程中的应力(stress)，氮化硅具有很強的应力，会影响晶圆表面的结构，因此在这一层氮化硅及硅晶圆之间，生长一层二氧化硅薄膜来减缓氮化硅与硅品圆间的应力。3.沉积氮化硅
利用低压化学气相沉积(LPCVD)的技术，沉积一层氮化硅，用来做为离子布植的罩幕及后续制程中，定义P型井的区域。
4.P型井的光罩形成
将光阻涂在品圆上之后，利用微影技术，将所要形成的P型井区域的图形定义出来，即将所要定义的P型井区域的光阻去除掉。
5.将晶圆表面的氮化硅，利用干式蚀刻的方法将其去除掉。
6.P型井的离子布植
利用离子布植的技术，将硼打入品圆中，形成P型井。接着利用无机溶液，如硫酸或干式臭氧(03)烧除法将光阻去除。
7.P型井的退火及氧化层的形成
将晶圆放入炉管中，做高温的处理，以达到硅晶圆退火的目的，並且顺便形成一层n型井的离子布植罩幕层，以阻止下一步骤中(n型井的离子布植)，n型掺杂离子被打入P型井内。
8.去除氮化硅
将晶圆表面晟的氮化硅，利用热磷酸湿式蚀刻的方法将其去除掉。9.n型井的离子布植
利用离子布植技术，将磷打入品圆中，形成n型井。而在P型井的表面上由于有一层二氧化硅膜保护，所以磷元素不会植入打入P型井之中。10.n型井的退火
离子布植之后会嚴重地破坏硅晶圆品格的完整性。所以掺杂离子布植之后的品圆必须经过適常的处理以回复原始的晶格排列。退火就是利用热能来消除晶圆中品格缺陷和内应力，以恢复晶格的完整性。同時使植入的掺杂原子扩散到硅原子的替代位置,使掺杂元素产生电特性。11.去除二氧化硅
利用湿式蚀刻方法去除晶圆表面的二氧化硅。12.前置氧化
利用热氧化法在晶圆上形成一层薄的氧化层，以减轻后续氮化硅沉积制程所产生的应力。13.氮化硅的沉积
利用低压化学气相沉积方法(LPCVD)沉积氨化硅薄膜，用来定义出元件隔离区域，使不被氨化硅遮盖的区域，可被氧化而形成元件隔离区。
14.元件隔离区的光罩形成
利用微影技术,在晶圆上涂布光阻,进行光阻曝光与显影,接着将氧化绝缘区域的光阻去除以定义出元件隔离区。
15.氮化硅的蚀刻
以活性离子蚀刻法去除氧化区域上的氨化硅。接着再将所有光阻去除。16.元件隔离区的氧化
利用氧化技术，长成一层二氧化硅膜，形成元件的隔离区。17.去除氮化硅
利用热磷酸湿式蚀刻法将氮化硅去除。18.利用氢氟酸去除闸极区域的氧化层除去氮化硅后，将晶圆放入氢氟酸化学槽中，去除闸极区域的化层，以便能在闸极区域重新成长品质更好的二氧化硅薄膜，做为闸极氧化层。1匳摆蘚鱟埡巛鴿類撬捞銪慨侀凭堃藯暾僧￥塾Ⓕ鐠贿縯针轔栓遜醜继昨輝禱慧捍酋化层的形成
此步骤为制做 CMOS的关鍵制程,利用热氧化法在品圆上形成高品质的二氧化硅,做为闸极氧化层。
20.闸极多晶硅的沉积利用低压化学气相沉积(LPCVD)技术在品圆表面沉积多品硅，以做为连接导线的闸极。21.闸极光罩的形成
涂布光阻在晶圆上，再利用微影技术将闸极的区域定义出來。22.活性离子蚀刻
利用活性离竄熳痣术榼桂子蚀刻技术蚀刻出多品硅闸极结构，再将表面之光阻去除。23.热氧化
利用氧化技术，在品圆表面形成一层氧化层。24.NMOS的源极与集极区域制成
涂布光阻后，利用微影技术形成NMOS源极与集极区域的遮罩，再利用离子布植技术将砷元素植入源极与集极区域，而后将晶圆表面的光阻去除，25.PMOS的源极及集极的制成
利用微影技术形成 PMOS源极及集极区域的遮罩之后,再利用离子布植技术将硼元素植入源极及集极区域，而后将品圆表面之光阻去除。
26.未掺杂的氧化层化学气相沉积
利用电浆增強化学气相沉积(PECVD)技术沉积一层无掺杂的氧化层，保护元件表面，免于受后续制程的影響。
27.CMOS 的源极及集极的活化及扩散
利用退火制造技术，将经离子布植过的集极及源极进行电性活化及散处理。28.沉积含硼磷的氧化层
加入硼磷杂质的二氧化硅有較低的溶點，硼磷氧化层(BPSG)加热到摄氏800度時会有软化流动的特性，障以利用来进行品圆表面初级平坦化，以利后续微影制程条件的控制。
29.第一层接触金属之接触洞的形成
涂布光阻，利用微影技术形成第一层接触金属孔洞的遮罩。再利用活性离子蚀刻技术蚀刻出接触孔。
30.溅镀上第一层金属
利用溅镀技术，在晶圆上溅镀一层钛/氮化钛/铝/化钛之多层金属膜。31.定义出第一层金属的图形
利用微影技术定义出第一层金属的遮罩。接着将铝金属利用活性离子蚀刻技术蚀刻出金属导线的结构。32.沉积二氧化硅
利用 PECVD 技术，在晶圆上沉积一层二氧化硅介电质，做为保护层。33.涂上二氧化硅
将流动态的二氧化硅(S0G,spinonglass)旋涂在晶圆表面上，使晶圆表面平坦化，以利后续之微影制程条件控制。
34.将S0G 烘干
由于S0G是将二氧化硅溶于溶剂中，因此必须要将溶剂加热去除掉。35.沉积介电质
沉积一层介电质在品圆上。
36.第二层接触金属之接触洞的形成
利用微影技术及活性离子蚀刻技术制作引洞(Via)，以作为两金属层之間连接的孔道，之后去掉光阻。
37.第二层金属的制成
沉积第二层金属膜在品圆上，利用微影技术制作出第二层金属的遮罩，接着蚀刻出第二层金属连线结构。
38.保护氧化层的沉积
利用 PECVD 方法沉积出保护氧化层。
39.氮化硅的沉积
利用 PECVD 沉积出氮化硅膜，形成保护层40.焊垫的制成
利用微影技术在品圆表层制作出金属焊垫(Pad)的遮罩图形。利用活性离子蚀刻技术蚀刻出焊垫区域，以做为后续积体电路封装制程時连接焊线的接触区。41.将元件予以退火处理
此一步骤的目的是让元件有最佳化的金属电性接触与可靠性，至此一个CMOS电晶体完成